S6Edge存储性能测试碉堡了

三星去年推出的旗舰手机Galaxy S5备受吐槽，销量也是相当惨淡。为了找回之前的辉煌，三星在今年的新旗舰Galaxy S6和双曲面屏的Galaxy S6 Edge上可谓下了血本。那么，三星Galaxy S6和S6 Edge到底怎么样呢？

三星这次似乎把自己最好的东西都给了Galaxy S6，因此我们能看到三星Galaxy S6的处理器Exynos 7420在跑分数据上大幅领先于其他对手，而这次存储性能测试上三星Galaxy S6/S6 Edge的表现更加惊人，性能几乎是竞争对手的数倍。

在AndroBench的随机读取测试中(得分越高越好)，Galaxy S6/ S6 Edge达到了惊人的77.2分。而排名第三到第五的三星Galaxy Note、LG G3、以及索尼Xperia Z3，则只有20.56、15.71、以及14.78分左右。

另外，在AndroBench的顺序写入测试中(得分越高越好)，Galaxy S6/S6 Edge更是达到了139.08分的高分。而三星Galaxy、LG G3、以及索尼Xperia Z3则分别只有34.26、22.29、以及44.43分。

而在AndroBench的顺序读取测试中(得分越高越好)，Galaxy S6/ S6 Edge也是达到了逆天的314.87分。而自家 Note4、LG G3、索尼Xperia Z3则只有147.05、164.08、以及217.17分。

三星Galaxy S6/S6 Edge的存储性能在各项测试中都完胜其他测试对手，这是因为Galaxy S6/S6 Edge采用了最新的UFS 2.0存储技术。UFS存储技术堪称是当今高端移动设备最佳的内存存储解决方案，UFS内存采用“命令队列(Command Queue)”技术，该技术常用于固态硬盘(SSD)中，通过串行接口加快命令执行速度，与采用8位并行接口的eMMC标准相比，数据处理速度得到大幅提高。因此，三星此次推出存储读取速度达到19000 IOPS，是高端智能手机中常用的eMMC 5.0嵌入式内存(7000 IOPS)的2.7倍，普通高速内存卡(1500 IOPS)的12倍，其超快的处理速度将大大提升系统性能。此外，新产品的连续读写性能也提升到了SSD水平，而功耗则降低了50%。

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