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S6Edge存储性能测试碉堡了

发布时间:2020-02-13 19:23:29 阅读: 来源:异型管厂家

三星去年推出的旗舰手机Galaxy S5备受吐槽,销量也是相当惨淡。为了找回之前的辉煌,三星在今年的新旗舰Galaxy S6和双曲面屏的Galaxy S6 Edge上可谓下了血本。那么,三星Galaxy S6和S6 Edge到底怎么样呢?

三星这次似乎把自己最好的东西都给了Galaxy S6,因此我们能看到三星Galaxy S6的处理器Exynos 7420在跑分数据上大幅领先于其他对手,而这次存储性能测试上三星Galaxy S6/S6 Edge的表现更加惊人,性能几乎是竞争对手的数倍。

在AndroBench的随机读取测试中(得分越高越好),Galaxy S6/ S6 Edge达到了惊人的77.2分。而排名第三到第五的三星Galaxy Note、LG G3、以及索尼Xperia Z3,则只有20.56、15.71、以及14.78分左右。

另外,在AndroBench的顺序写入测试中(得分越高越好),Galaxy S6/S6 Edge更是达到了139.08分的高分。而三星Galaxy、LG G3、以及索尼Xperia Z3则分别只有34.26、22.29、以及44.43分。

而在AndroBench的顺序读取测试中(得分越高越好),Galaxy S6/ S6 Edge也是达到了逆天的314.87分。而自家 Note4、LG G3、索尼Xperia Z3则只有147.05、164.08、以及217.17分。

三星Galaxy S6/S6 Edge的存储性能在各项测试中都完胜其他测试对手,这是因为Galaxy S6/S6 Edge采用了最新的UFS 2.0存储技术。UFS存储技术堪称是当今高端移动设备最佳的内存存储解决方案,UFS内存采用“命令队列(Command Queue)”技术,该技术常用于固态硬盘(SSD)中,通过串行接口加快命令执行速度,与采用8位并行接口的eMMC标准相比,数据处理速度得到大幅提高。因此,三星此次推出存储读取速度达到19000 IOPS,是高端智能手机中常用的eMMC 5.0嵌入式内存(7000 IOPS)的2.7倍,普通高速内存卡(1500 IOPS)的12倍,其超快的处理速度将大大提升系统性能。此外,新产品的连续读写性能也提升到了SSD水平,而功耗则降低了50%。

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